Информация об авторе
Vergeles, P. S.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 70, № 4 (2025) | ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ | Рекомбинационно-ускоренное скольжение дислокаций в 4H-SiC и GaN при облучении электронным пучком |
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 70, № 4 (2025) | ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ | Рекомбинационно-ускоренное скольжение дислокаций в 4H-SiC и GaN при облучении электронным пучком |