Селекция спиновых волн в ансамбле латерально и вертикально связанных микроволноводов на основе железо-иттриевого граната

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

На основе численного микромагнитного моделирования изучены режимы распространения спиновых волн в рассматриваемых массивах микроволноводов в конфигурации, соответствующей возбуждению в двух центральных каналах одного из слоев поверхностных и обратных объемных магнитостатических спиновых волн. Показано, что предложенная структура выполняет функции пространственно-частотной селекции сигнала, эффективность которой зависит от взаимной ориентации поля подмагничивания и направления распространения волны.

Об авторах

А. Б. Хутиева

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: abkhutieva@gmail.com
Россия, Саратов

В. Р. Акимова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

Email: abkhutieva@gmail.com
Россия, Саратов

Е. Н. Бегинин

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

Email: abkhutieva@gmail.com
Россия, Саратов

А. В. Садовников

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

Email: abkhutieva@gmail.com
Россия, Саратов

Список литературы

  1. Сафин А.Р., Никитов С.А., Кирилюк А.И. и др. // ЖЭТФ. 2020. Т. 158. № 1. С. 85; Safin A.R., Nikitov S.A., Kirilyuk A.I. et al. // J. Exp. Theor. Phys. 2020. V. 131. P. 71.
  2. Khitun A., Bao M., Wang K. // IEEE Trans. Magn. J. 2008. V. 44. P. 2141.
  3. Chumak A.V., Serga A.A., Hillebrands B. // J. Phys. D. 2017. V. 50. Art. No. 244001.
  4. Chumak A.V., Kabos P., Wu M. et al. // IEEE Trans. Magn. 2022. V. 58. No. 6. Art. No. 0800172
  5. Vysotskii S.L., Sadovnikov A.V., Dudko G.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 102403.
  6. Sakharov V.K., Beginin E.N., Khivintsev Y.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 022403.
  7. Sadovnikov A.V., Talmelli G., Gubbiotti G. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2022. V. 544. Art. No. 168670.
  8. Gubbiotti G. Three-dimensional magnonics. Layered, micro- and nanostructures. N.Y.: Jenny Stanford Publishing, 2019. 416 p.
  9. Colinge J.P. FinFETs and other multi-gate transistors. N.Y.: Springer, 2008. 350 p.
  10. Crew D.C., Kennewell K.J., Lwin M.J. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. Art. No. 10A707.
  11. Belmeguenai M., Martin T., Woltersdorf G. et al. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. Art. No. 104414.
  12. Li S., Wang C., Chu X.-M. et al. // Sci. Reports. 2016. V. 6. Art. No. 33349.
  13. Vansteenkiste A., VandeWiele B. // J. Magn. Magn. Mater. 2011. V. 323. P. 2585.
  14. Vansteenkiste A., Leliaert J., Dvornic M. et al. // AIP Advances. 2014. V. 4. Art. No. 107133.
  15. Venkat G., Fangohr H., Prabhakar A. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 34.
  16. Садовников А.В., Одинцов С.А., Бегинин Е.Н. и др.// Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 107. № 1. С. 29; Sadov-nikov A.V., Odintsov S.A., Beginin E.N. et al. // JETP Lett. 2018. V. 107. No. 1. P. 25.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (403KB)
3.

4.

Скачать (459KB)
5.

Скачать (526KB)

© А.Б. Хутиева, В.Р. Акимова, Е.Н. Бегинин, А.В. Садовников, 2023