Информация об авторе
Глушко, А. А.
| Выпуск | Раздел | Название | Файл |
| Том 52, № 4 (2023) | НАДЕЖНОСТЬ | Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения |
Способы оплаты
Пользователь
Уведомления
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Информация
Ключевые слова
атомы фтора
биполярный транзистор
диссоциация
импульсные нейронные сети
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
температура газа
травление
удельная мощность
эффект Ферстера
×
Способы оплаты
Пользователь
Уведомления
Подписка
Войти в систему, чтобы проверить подписку
Информация
Ключевые слова
атомы фтора
биполярный транзистор
диссоциация
импульсные нейронные сети
интенсивность излучения
ионизация
квантовая точка
кинетика
кремний
магнетронное распыление
мемристор
механизм
моделирование
плазма
полимеризация
приведенная напряженность электрического поля
резистивное переключение
температура газа
травление
удельная мощность
эффект Ферстера