English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Рыжук, Р. В.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 53, № 3 (2024) INSTRUMENTATION Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier
Том 52, № 3 (2023) MODELING Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor
Том 53, № 6 (2024) INSTRUMENTATION III-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier: Fabrication and Experimental Application
 

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP