Влияние легирования празеодимом на кристаллическую структуру и край оптического поглощения соединения TlGaS2

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Выращены монокристаллы твердых растворов на основе слоистого полупроводникового соединения TlGaS2 с добавлением до 2 мол. % редкоземельного элемента празеодима, получены их дифрактограммы. Исследован край оптического поглощения твердых растворов TlGaS2 в температурном интервале 100–200 К. Изучена температурная зависимость положения краевого экситонного пика для всех составов TlGaS2.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

П. Исмаилова

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Autor responsável pela correspondência
Email: p.ismayilova@physics.science.az
Uzbequistão, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

Н. Гасанов

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Azerbaijão, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

А. Гаджиева

Институт физики им. академика Г. М. Абдуллаева

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Azerbaijão, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1143

К. Гусейнова

Сумгаитский государственный университет

Email: p.ismayilova@physics.science.az
Azerbaijão, ул. Баку, 1, Сумгаит, AZ 5008

Bibliografia

  1. Panich A.M. Electronic Properties and Phase Transitions in Low-Dimensional Semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. № 6. Р. 3–31. https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/29/293202
  2. Guseinov S.G., Guseinov G.D., Gasanov N.Z., Kyazimov S.B. Special Features of Exciton Absorption Spectra of А3В3X62-Type Layer Semiconductor Crystals // Phys. Status Solidi B. 1986. V. 133. № 1. K25–K30.
  3. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005 и 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/S0002337X13120129
  4. Горбань И.С., Охрименко О.Б. Параметры экситонного поглощения в кристалле TlGaS2 // ФТТ. 2001. T. 43. Вып. 11. C. 1963–1965.
  5. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. Optoelectronic and Electrical Properties of TlGaS2 Single Crystal // Phys. Status Solidi A. 2005. V. 202. № 13. P. 2501–2507. https://doi.org/10.1002/pssa.200521190
  6. Panich A.M., Sardarly R.M. Physical Properties of the Low Dimensional A3B6 and A3B3C62 Compounds. N. Y.: Nova Science, 2010. 287 p.
  7. Isaacs T.J., Hopkins R.H. Crystal Growth, Symmetry and Physical Properties of Thallium Gallium Disulfide, TlGaS2 // J. Cryst. Growth. Lett. Ed. 1975. V. 29. P. 121–122.
  8. Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Кристаллофизика сложных полупроводников на основе соединений типа TlBIIIC2VI, включающих редкоземельные элементы и переходные металлы // Изв. НАН Азербайджана. Физика и астрономия. 2017. № 2. C. 12–26.
  9. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Гусейнова С.С., Джабаров А.И., Лукичев В.Ф. Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2: Nd3+ на постоянном и переменном токе // ФТТ. 2022. Т. 64. № 4. С. 428–436. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
  10. Abdullaeva S.G., Belenkii G.L., Mamedov N.T. Near Band – Edge Optical Properties of TlGaS2xSe2(1–x) Mixed Crystals // Phys. Status Solidi B. 1980. V. 102. № 1. P. k19–k22.
  11. Керимова Э.М. Кристаллофизика низкоразмерных халькогенидов. Баку: Элм, 2012. 708 с.
  12. Абдуллаева С.Г., Абдуллаев Н.А., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т., Сулейманов Р.А. Температурный сдвиг экситонной полосы и деформационные эффекты в слоистых кристаллах TlGaS2 // ФТП. 1983. T. 17. Bып. 11. C. 2068–2070.
  13. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 89–127.
  14. Allakhverdiyev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A., Gasanov N.Z. Deformation Effects in Electronic Spectra of the Layered Semiconductors TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2 // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291–1298. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
  15. Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 11. C. 39–42.
  16. Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Seidov F.M. Some Physical Properties of the TlGaSe2-TlTmSe2 System // Scientific Collections of National Academy of Aviation of Azerbaijan. 2018. V. 20. № 4. P. 51–53.
  17. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Диэлектрические и оптические свойства монокристаллов TlGa1–xErxS2 (х = 0, 0.001, 0.005, 0.01) // Неорган. материалы. 2013. Т. 49. № 12. С. 1271–1276. https://doi.org/10.7868/s0002337x13120129

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2. Fig. 1. Diffractogram of TlGaS2<0.1% Pr> crystal.

Baixar (80KB)
Metadados
3. Fig. 2. Shape of the absorption edge of TlGaS2<0.1% Pr> single crystals at 100 (1), 140 (2), 200K (3).

Baixar (127KB)
Metadados
4. Fig. 3. Temperature dependences of the exciton peak position at the absorption edge of compounds TlGaS2 (1), TlGaS2<0.1% Pr> (2), TlGaS2<0.5% Pr> (3), TlGaS2<2% Pr> (4).

Baixar (95KB)
Metadados
5. Fig. 4. Concentration dependence of the exciton peak position at the absorption edge of TlGaS2 solid solutions at T = 100 K.

Baixar (55KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024