Изучение влияния барьерных слоев Si и Be на кристаллизацию многослойного рентгеновского зеркала Cr/Sc
- Authors: Соломонов А.В.1, Сахоненков С.С.1, Филатова Е.О.1
-
Affiliations:
- Санкт-Петербургский государственный университет
- Issue: Vol 69, No 1 (2024)
- Pages: 84-90
- Section: ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
- URL: https://gynecology.orscience.ru/0023-4761/article/view/673238
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124010122
- EDN: https://elibrary.ru/svdpfw
- ID: 673238
Cite item
Abstract
Изучено влияние барьерных слоев Si и Be на процесс перемешивания тонких слоев многослойных рентгеновских зеркал на основе Cr и Sc в широком диапазоне температур методами рентгеновской рефлектометрии, рентгеновской дифракции, а также просвечивающей электронной микроскопии. Установлено, что отжиг системы Si/[Cr/Sc]200 является катализатором процесса перемешивания. В образце, нагретом при температуре 450°C в течение 1 ч, происходит полное перемешивание слоев. Структура становится текстурированной с предпочтительной ориентацией [001] слоя Sc перпендикулярно подложке. Введение барьерного слоя Be в систему Si/[Cr/Sc]200 ограничивает перемешивание слоев хрома и скандия при отжиге до 350°C, но при 450°C структура полностью деградирует. Бериллий в роли барьерного слоя предотвращает текстурирование и рост зерен в системе, но не препятствует процессу кристаллизации. Тонкая прослойка Si, вставленная между слоями Cr и Sc, ограничивает их перемешивание и сохраняет многослойность и аморфность системы при температурах до 450°C.
Full Text

About the authors
А. В. Соломонов
Санкт-Петербургский государственный университет
Author for correspondence.
Email: asolomonov78@gmail.com
Russian Federation, г. Санкт-Петербург
С. С. Сахоненков
Санкт-Петербургский государственный университет
Email: asolomonov78@gmail.com
Russian Federation, г. Санкт-Петербург
Е. О. Филатова
Санкт-Петербургский государственный университет
Email: asolomonov78@gmail.com
Russian Federation, г. Санкт-Петербург
References
- O’Sullivan G., Li B., Dunne P. et al. // Phys. Scr. 2015. V. 90. P. 54002. https://doi.org/10.1088/0031-8949/90/5/054002
- Martz D.H., Selin M., von Hofsten O. et al. // Opt. Lett. 2012. V. 37. P. 4425. https://doi.org/10.1364/ol.37.004425
- Higashiguchi T., Otsuka T., Yugami N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 014103. https://doi.org/10.1063/1.3673912
- Kopylets I., Devizenko O., Zubarev E. et al. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2019. V. 19. P. 518. https://doi.org/10.1166/jnn.2019.16471
- Hatano T., Ejima T., Tsuru T. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2017. V. 220. P. 14. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2016.12.010
- Legall H., Blobel G., Stiel H. et al. // Opt. Express. 2012. V. 20. P. 18362. https://doi.org/10.1364/oe.20.018362
- Richter M., Gottwald A., Scholze F. et al. // Adv. Space Res. 2006. V. 37. P. 265. https://doi.org/10.1016/j.asr.2004.12.043
- Ackermann W., Asova G., Ayvazyan V. et al. // Nat. Photonics. 2007. V. 1. P. 336. https://doi.org/10.1038/nphoton.2007.76
- Van Kuiken B.E., Cho H., Hong K. et al. // J. Phys. Chem. Lett. 2016. V. 7. P. 465. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.5b02509
- Haase A., Bajt S., Hönicke P., Soltwisch V. et al. // J. Appl. Cryst. 2016. V. 49. P. 2161. https://doi.org/10.1107/S1600576716015776
- Polkovnikov V.N., Garakhin S.A., Kvashennikov D.S. et al. // Tech. Phys. 2020. V. 65. P. 1809. https://doi.org/10.1134/S1027451019010129
- Windt D.L. // Comput. Phys. 1998. V. 12. P. 360. https://doi.org/10.1063/1.168689
- Ghafoor N., Eriksson F., Mikhaylushkin A.S. et al. // J. Mater. Res. 2009. V. 24. P. 79. https://doi.org/10.1557/JMR.2009.0004
- Kuhlmann T., Yulin S., Feigl T. et al. // Appl. Opt. 2002. V. 41. №. 10. P. 2048. https://doi.org/10.1364/AO.41.002048
- Prasciolu M., Leontowich A.F.G., Beyerlein K.R., Bajt S. // Appl. Opt. 2014. V. 53. № 10. P. 2126. https://doi.org/10.1364/AO.53.002126
- Eriksson F., Ghafoor N., Hultman L. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 63516. https://doi.org/10.1063/1.2980051
- Majkova E., Chushkin Y., Jergel M. et al. // Thin Solid Films. 2006. V. 497. P. 115. https://doi.org/10.1063/1.2980051
- Chkhalo N.I., Pariev D.E., Polkovnikov V.N. et al. // Thin Solid Films. 2017. V. 631. P. 106. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2017.04.020
- Svechnikov M.V., Chkhalo N.I., Gusev S.A. et al. // Opt. Express. 2018. V. 26. P. 33718. https://doi.org/10.1364/oe.26.033718
- Zhong Q., Zhang Z., Qi R. et al. // Opt. Express. 2013. V. 21. P. 14399. https://doi.org/10.1364/oe.21.014399
- Polkovnikov V.N., Salashchenko N.N., Svechnikov M.V. et al. // Uspekhi Fizicheskih Nauk. 2020. V. 190. P. 92. https://doi.org/10.3367/ufnr.2019.05.038623
- Venkatraman M., Neumann J.P. // Bull. Alloy Phase Diagrams. 1985. V. 1. P. 422. https://doi.org/10.1007/BF02869500
- Das A., Singh D., Choudhari R.J. et al. // J. Appl. Cryst. 2018. V. 51. P. 1295. https://scripts.iucr.org/cgi-bin/paper? S1600576718010579
Supplementary files
