Эластичный матричный электрод на основе слоев одностенных углеродных нанотрубок для применения в гибкой оптоэлектронике

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Рассмотрена технология изготовления растяжимого электрода на основе полидиметилсилоксана (ПДМС) и одностенных углеродных нанотрубок. Электроды были созданы методом оптической литографии на нанотрубках с использованием жертвенного слоя. Рисунок формировали сухим плазменным травлением. Для создания растяжимого устройства массив нитевидных микрокристаллов InGaN/GaN был инкапсулирован в ПДМС методом гравитационной накрутки и отделен от ростовой подложки. Проведено тестирование устройства на растяжение и измерены вольтамперные характеристики, а также исследована стабильность работы устройства при циклических нагрузках.

Об авторах

Д. Е. Колесина

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Автор, ответственный за переписку.
Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021; Санкт-Петербург, 195251

Ф. М. Кочетков

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021

А. А. Воробьев

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021

К. Н. Новикова

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021

А. С. Голтаев

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021

В. В. Неплох

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021

И. С. Мухин

Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Email: diana666167@gmail.com
Россия, Санкт-Петербург, 194021; Санкт-Петербург, 195251

Список литературы

  1. Xie Y. Shihong Q. Principle and Application of Inorganic Electroluminescence and Organic Electroluminescence // International Conference on Electric Information and Control Engineering. 2011. https://doi.org/10.1109/ICEICE.2011.5777215
  2. Kim Y., Hwang S., Hong J., Lee S. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. № 17. P. 173506. https://doi.org/10.1063/1.2364866
  3. Sugimoto A., Ochi H., Fujimura S., Yoshida A., Miyadera T., Tsuchida M. // J. Selected Topics Quantum Electronics. 2004. V. 10. № 1. P. 107. https://doi.org/10.1109/JSTQE.2004.824112
  4. Shen J., Chui C., Tao X. // Biomed. Opt. Express. 2013. V. 4. № 12. P. 2925. https://doi.org/10.1364/BOE.4.002925
  5. Yokota T., Zalar P., Kaltenbrunner M., Jinno H., Matsuhisa N., Kitanosako H., Tachibana Y., Yukita W., Koizumi M., Someya T. // Sci. Adv. 2016. V. 2. № 4. P. e1501856. https://doi.org/10.1126/sciadv.1501856
  6. Самарин А. // Новые технологии. 2007. № 69. С. 221.
  7. Kgatuke M., Hardy D., Тownsend K., Salter E., Downes T., Harrigan K., Allcock S., Dias Т. // Proceedings. 2019. V. 32. № 1. P. 12. https://doi.org/10.3390/proceedings2019032012
  8. Yan X., Fan S., Zhang X., Ren Х. // Nanoscale Res. Lett. 2015. V. 10. P. 1. https://doi.org/10.1186/s11671-015-1097-7
  9. Feng G., Nix W., Yoon Y., Lee C. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. № 7. P. 074304. https://doi.org/10.1063/1.2189020
  10. Neplokh V., Kochetkov F., Deryabin K., Fedorov V., Bolshakov A., Eliseev I., Mikhailovskii V., Ilatovskii D., Krasnikov D., Tchernycheva M., Cirlin G., Nasibulin A., Mukhin I., Islamova R. // J. Mater. Chem. C. 2020. V. 8. № 11. P. 3764. https://doi.org/10.1039/C9TC06239D
  11. Kochetkov F., Neplokh V., Mastalieva V., Mukhangali S., Vorobyov A., Uvarov A., Komissarenko F., Mitin D., Kapoor A., Eymery J., Amador-Mendez N., Durand C., Krasnikov D., Nasibulin A., Mukhin I., Islamova R. // Nanomaterials. 2021. V. 11. № 6. P. 1503. https://doi.org/10.3390/nano11061503
  12. Mukhangali S. Neplokh V., Kochetkov F., Moiseev E., Miroshnichenko A., Deryabin K., Nasibulin A., Mukhin I., Islamova R. // J. Phys.: Conf. Ser. 2021. V. 2103. № 1. P. 012178. https://doi.org/10.1088/1742–6596/2103/1/012178
  13. Kochetkov F., Neplokh V., Fedorov V., Bolshakov A., Cirlin G., Mukhin I., Islamova R. // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. V. 1965. № 1. P. 012010. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012010
  14. Mukhangali S., Neplokh V., Kochetkov F., Fedorov V., Nasibulin A., Makarov S., Mukhin I., Islamova R. // J. Phys.: Conf. Ser. 2021. V. 2086. № 1. P. 012093. https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012093
  15. Kaskela A., Nasibulin A.G., Timmermans M.Y., Aitchison B., Papadimitratos A., Tian Y., Zhu Z., Jiang H., Brown D.P., Zakhidov A., Kauppinen E.I. // Nano Lett. 2010. V. 10. № 11. P. 4349. https://doi.org/10.1021/nl101680s
  16. Mukhangali S., Neplokh V., Kochetkov F., Vorobyov A., Mitin D., Mukhin I., Krasnikov D., Tian Y., Islamova R., Nasibulin A.G., Mukhin I. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. № 24. https://doi.org/10.1063/5.0125974
  17. Köster R. Hwang J.S., Durand C., Dang D., Eymery J. // Nanotechnology. 2009. V. 21. № 1. P. 015602. https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/1/015602
  18. Eymery J., Chen X., Durand C., Kolb M., Richter G. // Comptes Rendus Phys. 2013. V. 14. № 2–3. P. 221. https://doi.org/10.1016/j.crhy.2012.10.009
  19. Guan N., Dai X., Babichev A., Julien F., Tchernycheva M. // Chem. Sci. 2017. V. 8. № 12. P. 7904. https://doi.org/10.1039/C7SC02573D
  20. Tsapenko A.P., Goldt A.E., Shulga E., Popov Z.I., Maslakov K.I., Anisimov A.S., Sorokin P.B., Nasibulin A.G. // Carbon. 2018. № 130. P. 448. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2018.01.016
  21. Gilshteyn E.P., Romanov S.A., Kopylova D.S., Savostyanov G. V., Anisimov A.S., Glukhova O.E., Nasibulin A.G. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. № 30. P. 27327. https://doi.org/10.1021/acsami.9b07578

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Институт физики твердого тела РАН, Российская академия наук, 2025