Electron transport and field electron emission mechanisms in 2D noncrystalline hetero structures with quantum barrier
- Authors: Krasnikov G.Y.1, Bokarev V.P.1, Teplov G.S.1, Yafarov R.K.2
-
Affiliations:
- Joint-Stock Company “Scientific-Research Institute of Molecular Electronics”
- Saratov branch-office of the Kotelnikov V. A. Institute for Radiotechnics and Electronics of the Russian Academy of Sciences
- Issue: Vol 53, No 5 (2024)
- Pages: 389-396
- Section: МОДЕЛИРОВАНИЕ
- URL: https://gynecology.orscience.ru/0544-1269/article/view/681354
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126924050043
- ID: 681354
Cite item
Abstract
Impact of the depth of a quantum barrier in the form of a tunnel-thin charge-depletion carbon layer in the enriched noncrystalline carbon template on non-dissipative transport and field electron emission has been studied. It has been shown that cross-current nonlinearities in current variables in heterostructures with static low-field electric effects and current-voltage curve parameters of the field electron emission in the strong pulse electric fields with microsecond duration are determined by the parameters of quantum barrier and by the implementation of resonant tunneling conditions with different zero levels of size quantization energy.
Full Text

About the authors
G. Ya. Krasnikov
Joint-Stock Company “Scientific-Research Institute of Molecular Electronics”
Email: vbokarev@niime.ru
Russian Federation, Zelenograd
V. P. Bokarev
Joint-Stock Company “Scientific-Research Institute of Molecular Electronics”
Author for correspondence.
Email: vbokarev@niime.ru
Russian Federation, Zelenograd
G. S. Teplov
Joint-Stock Company “Scientific-Research Institute of Molecular Electronics”
Email: vbokarev@niime.ru
Russian Federation, Zelenograd
R. K. Yafarov
Saratov branch-office of the Kotelnikov V. A. Institute for Radiotechnics and Electronics of the Russian Academy of Sciences
Email: pirpc@yandex.ru
Russian Federation, Saratov
References
- Jin-Woo Han, Jae Sub Oh and M. Meyyappan. Vacuum nanoelectronics: Back to the future? — Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor. Appl. Phys. Lett. 100, 213505 (2012). http://dx.doi.org/10.1063/1.4717751.
- Fowler R.H., Nordheim L.W. Electronemission in intense electric fields // Proc. R. Soc. London. A. 1928. V. 119. P. 173–181.
- Патент RU2 455 724 C1. Опубликовано: 10.07.2012. Бюл. № 19. Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий. Авторы: Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Орлов С.Н., Хомяков И.А., Яфаров Р.К.
- Marcus R.B., Ravi T.S., Gmitter T. et all. Formation of silicon tips with < 1 nm radius // Applied Physics Letters. 1990. Vol. 56, № 3. P. 236–238.
- Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., и др. // ЖТФ. 2013. Т. 83. № 6. С. 71.
- Panda K., Hyeok J.J., Park J.Y., et al. // Sci. Rep. 2007. № 7. P. 16325.
- Sobaszek M., Siuzdak K., Ryl J., et al. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. № 38. P. 20821.
- Яфаров Р.К., Сторублев А.В. Долговременная воспроизводимость эмиссионных характеристик алмазографитовых полевых источников электронов в нестационарных вакуумных условиях эксплуатации // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып. 24. С. 17–19.
- Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1٩83.
- Бонч-Бруевич В.Л, Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1٩77. 672 с.
- Пул Ч. – мл., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. Москва.: Техносфера, 2006. 336 с.
- Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Москва. Физматкнига, 2006. 496 с.
- Успехи наноинженерии: электроника, материалы, структуры. Под ред. Дж. Дэвиса, М. Томсона. Москва.: Техносфера, 2011. 491 с.
- Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит, 2009. 216 с.
- Яфаров Р.К. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. № 9. С. 3.
Supplementary files
