Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Приведены результаты электрических при комнатной температуре и автоэмиссионных измерений низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур с различным электронным обогащением слоев. Установлено, что с уменьшением толщины обедненного электронами углеродного слоя до величины сравнимой с длиной волны де Бройля за счет размерного квантования увеличивается прозрачность потенциальных барьеров, которые приводят к усилению выпрямляющих свойств низкоразмерных углеродных гетероструктур и, более чем на порядок увеличивают максимальные полевые токи катодных матриц на их основе.

Авторлар туралы

Р. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники
имени В.А. Котельникова РАН

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: pirpc@yandex.ru
Россия, Саратов

Н. Шабунин

Саратовский национальный исследовательский государственный
университет имени Н.Г. Чернышевского

Email: pirpc@yandex.ru
Россия, Саратов

Әдебиет тізімі

  1. Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., Яфясов А.М., Павлов Б.С., Божевольнов В.Б. Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. С. 71‒77.
  2. Усанов Д.А., Яфаров Р.К. Методы получения и исследования самоорганизующихся наноструктур на основе кремния и углерода // Учеб.-метод. пособие для студентов фак. нано- и биомед. технологий. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2011. 124 с.
  3. Давидович М.В., Яфаров Р.К. Автоэмиссионная шахматная структура на основе алмазографитовых кластеров // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 6. С. 283–293.
  4. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В. Влияние электропроводности углеродных пленочных нанокомпозитов на автоэмиссионные характеристики планарно-торцевых источников электронов // Радиотехника. 2019 № 7(10). С. 45–51.
  5. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В., Сторублев А.В. Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов. // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. 2021. Т. 20. Вып. 1. С. 69–89.
  6. Mori T., Hamaguchi C., Shibatomi A. Hot electron effect in short n+ – n – n+ GaAs structures // Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 2. P. 212–215.
  7. Яфаров Р.К. Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах // ФТП. 53 (1). 18 (2019).
  8. Яфаров Р.К. Автоэмиссия многоострийных катодных матриц на кремнии p-типа в сильных импульсных электрических полях // Письма в ЖТФ. 45 (9). 3 (2019).
  9. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
  10. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983. 664 с.

Қосымша файлдар


© Р.К. Яфаров, Н.О. Шабунин, 2022