Многослойные эпитаксиальные кремниевые структуры с субмикронными слоями, выращенные сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксией

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Многослойные кремниевые диодные структуры с базовыми субмикронными слоями n- и p-типов проводимости были выращены методом сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксии. Профили распределения концентрации носителей заряда (электронов и дырок) определяли методом вольт-фарадных характеристик. Использование кремниевых сублимационных источников, вырезанных из кремниевых слитков, которые были легированы фосфором или бором, дает возможность достичь однородного распределения концентрации носителей заряда по толщине слоев и экстремально резкого профиля на границе их с Si подложкой. Такие структуры могут успешно применяться для изготовления диодов.

Об авторах

В. Г. Шенгуров

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: shengurov@phys.unn.ru
Нижний Новгород, Россия

А. М. Титова

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Нижний Новгород, Россия

Н. А. Алябина

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Нижний Новгород, Россия

В. Ю. Чалков

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Нижний Новгород, Россия

С. А. Денисов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Email: asya_titova95@mail.ru
Нижний Новгород, Россия

А. В. Здоровейщев

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: asya_titova95@mail.ru
Нижний Новгород, Россия

Список литературы

  1. Гусятинер М.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды. – М.: Радио и связь. – 1983. – 224 с.
  2. Вишнякова З.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия в полупроводниковом производстве. Обзоры по электронной технике сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 7. – 1985. – С. 128.
  3. Heitzman M., Boudot M. New progress in the development of a 94–6 Hz pretuned module silicon impatt diode // IEEE Trans.Electron Devices. – 1983. – V. 30. – P. 759–763.
  4. Bean J.C. Grow of doped silicon layer by molecular beam epitaxy // Impurity doping / Ed. by FFY Wang-N.Y.: North-Holland. – 1981. – P. 177–215.
  5. Shiraki Y. Silicon molecular beam epitaxy // Ext. Abstr. 15th conf. “Solid-State Devices and Mater” Tokyo. – 1983. – P. 7–10.
  6. Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекуляно-лучевой эпитаксии / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков и др. // Физика и техника полупроводников. – Т. 2. – 2006. – С. 188–194.
  7. Nutzer J.F., Abstreiter F. Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 937–940.
  8. Установка для сублимирующей молекулярно-лучевой эпитаксии кремния / С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, В. А. Толомасов и др. // Приборы и техника эксперимента. – 2001. – № 5. – С. 137–140.
  9. Кузнецов В.П. О переносе примесей P, As, Al из источника кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме / В. П. Кузнецов, В. В. Постников // Кристаллография. – 1974. – Т. 2. – С. 346.
  10. Субмикронные эпитаксиальные слои кремния, легированные донорными примесями в процессе испарения их из расплава кремния в вакууме / В. Г. Шенгуров, В. Н. Шабанов, В. А. Рубцова // Материалы VII Конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок 9–13 июня 1986, Новосибирск. – Т. 1. – С. 273–274.
  11. Шенгуров В.Г. Многослойные кремниевые структуры, полученные совместным испарением из твердой фазы и из расплава // Неорганические материалы. – Т. 37. – 2001. – С. 783–787.
  12. Обогащение бором приповерхностной области кремния в процессе сублимации / В. А. Толомасов, В. В. Васькин, М. И. Овсянников и др. // Физика и техника полупроводников. – 1981. – Т. 15. – С. 104.
  13. Автоэпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме из высоколегированных бором источников / М. И. Овсянников, Р. Г. Логинова, Р. А. Рубцова и др. // Кристаллография. – 1970. – Т. 6. – С. 1261.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025