Получение графена: осаждение и отжиг

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Обзор посвящен анализу роли высокотемпературного отжига в технологиях получения графеновых пленок и создания структур для наноэлектроники на их основе. Как известно, один из способов получения графена – высокотемпературный отжиг монокристаллов Si C. Этот метод позволяет получать высококачественные графеновые пленки, но существенными недостатками этого метода являются высокая температура отжига и малые размеры монокристаллических доменов получаемого графена. Все более широкое распространение получает способ получения графена путем отжига структур с твердыми углеродными слоями, нанесенными на пленку никеля на диэлектрической подложке, с последующим удалением никеля химическим травлением. Отжиг графеновых пленок, независимо от способа их получения, является средством очистки поверхности графена от адсорбированных загрязнений и улучшения его кристаллической структуры. Выявлено, что отжиг может приводить к разным результатам для изолированных графеновых пленок и для графеновых структур, предназначенных для применения в устройствах наноэлектроники.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. Г. Шустин

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: shustin2005@ya.ru

Фрязинский филиал

Россия

Список литературы

  1. Novoselov K.S, Geim A.K, Morozov S.V., et al. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science. 2004. V. 306. P. 666–669.
  2. Geim A.K, Novoselov K.S. The rise of graphene. Nat Mater. 2007. V. 6(3). P. 183–191.
  3. Randviir E.P, Brownson D.A.C, Banks C.E. A decade of graphene research: production, applications and outlook. Materials Today. 2014. V. 17(9). P. 426–432.
  4. Bhuyan S.A, Uddin N., Islam M. et al. Synthesis of graphene. Int. Nano Let. 20. V. 6. P. 65–83.
  5. Lee H.C., Liu W.W., Chai S.P. et al. Review of the synthesis, transfer, characterization and grow mechanisms of single and multilayer graphene. RSC Adv. 2017. V. 7. 15644.
  6. Zhu Y., Ji H., Cheng HM., Ruoff R.S. Mass production and industrial applications of graphene materials. National Science Review. 2018. V. 5. P. 90–101.
  7. Huang Y., Li X., Cui H., Zhou Z. Bi-layer graphene: structure, properties, preparation and prospects. Current Graphene Science. 2018. V. 2. P. 97–105.
  8. Ohta T., Bostwick A., Seyller T., et al. Controlling the electronic structure of bilayer graphene. Science 2006. V. 313(5789) P. 951–954.
  9. Cao Y., Fatemi V., Fang S., et al. Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices. Nature. 2018. V. 556(7699) P. 43–50.
  10. Hass J., de Heer W.A., Conrad E.H. The growth and morphology of epitaxial multilayer graphene, J. Phys. Cond. Matter. 2008. V. 20 323202
  11. Emtsev K.V., Bostwick A., Horn K., et al. Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide. Nat. Mater. 2009. V. 8 (3) P. 203–207.
  12. Landois P., Wang T., Nachawaty A., et al. Growth of low doped monolayer gra/phene on SiC(0001) via sublimation at low argon pressure Phys Chem Chem Phys 2017. V. 19(24) P. 15833–15841.
  13. Аристов В.Ю., Чайка А.Н., Молодцова О.В. и др. Наноструктурированный графен на SiC/Si(001): атомная и электронная структура, магнитные и транспортные свойства (Миниобзор). Письма в ЖЭТФ. 2021. Т113(3), С. 189–209.
  14. Somani P.R., Somani S.P., Umeno M. Planer nanographenes from camphor by CVD. Chemical Physics Letters. 2006. V. 430 P. 56–59.
  15. Obraztsov A.N., Obraztsova E.A., Tyurnina A.V., Zolotukhin A.A. Chemical vapor deposition of thin graphite films of nanometer thickness. Carbon. 2007. V. 45 P. 2017–2022.
  16. Yu Q., Lian J., Siriponglert S., et al. Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators. Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. 113103.
  17. Reina S., Thiele S, Jia X., et al. Growth of large-area single- and bi-layer graphene by controlled carbon precipitation on polycrystalline Ni surfaces. Nano Res. 2009. V. 2. P. 509–516.
  18. Sun Z., Raji A.R., Zhu Y., et al. Large-area Bernal-stacked bi-, tree- and tetralayer graphene. ACS Nano. 2012. V. 6(11) P. 9790–9796.
  19. Liu L., Zhou H., Cheng R., et al. High-yield chemical vapor deposition growth of high-quality large-area AB-stacked bilayer graphene. ACS Nano. 2012. V. 6(9) P. 8241–8249.
  20. Yan K., Peng H., Zhou Y., et al. Formation of bilayer Bernal graphene: Layer-by-layer epitaxy via chemical vapor deposition. Nano Lett. 2011. V. 11(3). P. 1106–1110.
  21. Bae S., Kim H., Lee Y., et al. Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes. Nature Nanotechnology. 2010. V. 5. P. 574–578.
  22. Bhutan S.A., Uddin N., Islam M., et al. Synthesis of graphene. Int. Nano Lett. 2016. V. 6. P. 65–83.
  23. Nandamuri G., Roumimov S., Solanki R. Remote plasma assisted growth of graphene films. Applied Physics Letters. 2010. V. 96. 54101.
  24. Kim J., Ishihara M., Koga Y., et al. Low-temperature synthesis of large-area graphene-based transparent conductive films using surface wave plasma chemical vapor deposition. Applied Physics Letters, 2011. V. 98. 091502.
  25. Chan S.H., Chens S.H., Lin W.T., et al. Low-temperature remote plasma-enhanced atomic layer deposition of graphene and characterization of its atomic-level structure. Nanoscale Research Letters. 2013. V. 8. P. 285–289.
  26. Kuo C., Chen S., Ji H.; et al. Millimeter-size single-crystal graphene by suppressing evaporative loss of Cu during low pressure chemical vapor deposition. Adv. Mater. 2013. V. 25. P. 2062–2065.
  27. Zhang Y., Ren W., Jiang Z., et al. Low-temperature remote plasma-enhanced atomic layer deposition of graphene and characterization of its atomic-level structure. J. Mater. Chem. 2014. V. 2. P. 7570–7574.
  28. Mishra N, Forti S., Fabbri F., et al. Wafer-Scale Synthesis of Graphene on Sapphire: Toward Fab-Compatible Graphene. Small. 2019. V 15 1904906.
  29. Peng Z., Yan Z., Yao J., et al. Growth of graphene from solid carbon sources. Nature. 2010. V. 468. P. 549–552.
  30. Peng Z., Yan Z., Sun Z., Tour J.M. Direct growth of bilayer graphene on SiO2 substrates by carbon diffusion through nickel. ACS Nano. 2011. V. 5(10). P. 8241–8247.
  31. Prekodravac J., Markovic Z.S., Jovanović S. et al. The effect of annealing temperature and time on synthesis of graphene. Synthetic Metals. 2015. V. 209. P. 461–467.
  32. Wang H., Zhang X., Takamatsu H. Ultraclean suspended monolayer graphene achieved by in situ current annealing. Nanotechnology. 2017. V. 28. 045706.
  33. Karlsson L, Birch J., Mockute A. et al. Graphene on graphene formation from PMMA residues during annealing. Vacuum. 2017. V. 137. P. 191–194.
  34. Zhu Z., Zhan L., Shih T., et al. Critical annealing temperature for stacking orientation of bilayer graphene. Small. 2018. V. 14. 1802498.
  35. Bleu Y., Bourquard F., Loir A.C., et al. Raman study of the substrate influence on graphene synthesis using a solid carbon source via rapid thermal annealing. J Raman Spectrosc. 2019. V. 50. P. 1630–1641.
  36. Li H., Li X., Weia J., et al. Crystalline transformation from ta-C to graphene induced by a catalytic Ni layer during annealing. Diamond a. related materials. 2020. V. 101. 107556.
  37. Zhizhin E.V., Pudikov D.A., Rybkin A.G. et al. Physics of the Solid State. 2015. V. 57(9). P. 1888–1894.
  38. Kovalenko S.L., Pavlova T.V., Andryushechkin B.V. et al. Epitaxial growth of a graphene single crystal on the Ni(111) surface. JETP Letters. 2017. V. 105. P. 185–188.
  39. Xu J., Fujita D., Sagisaka K., et al. Production of extended single-layer graphene. ACS Nano. 2011. V. 5(2). P. 1522–1528
  40. Шустин Е.Г., Исаев Н.В, Лузанов В.А., Темирязева М.П. Формирование тонких графитовых пленок при диффузии углерода через никель. ЖТФ. 2017. Т. 87(7) С. 1053–1056.
  41. Сорокин И.А., Колодко Д.В., Лузанов В.А., Шустин Е.Г. Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке с помощью гетероэпитаксиального синтеза. Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46(10). С. 38–41.
  42. Сорокин И.А., Колодко Д.В., Шустин Е.Г. Синтез пленок нанокристаллического графита в разряде с полым катодом. ЖТФ. 2018.Т. 88(8). С. 1191–1194.
  43. Zhang L., Feng S., Xiao S., et al. Layer-controllable graphene by plasma thinning and post-annealing. Applied Surface Science, 2018. V. 441 P. 639–646.
  44. Shen Y.L.; Zhou P.; Wang L.H.; Sun Q.Q., et al. The annealing effect of chemical vapor deposited graphene. IEEE10th International Conference on ASIC. 2013.
  45. Tolochko A.V., Larionova T.V., Kozlova M.V. et al. Variation of the resistivity and chemical composition of CVD graphene under annealing in a reductive atmosphere. Journal of Physics: Conf. Series, 2017. V. 816. 012012.
  46. Son J., Choi M., Honga J., Yangy B. Raman study on the effects of annealing atmosphere of patterned graphene. J. Raman Spectrosc, 2018. V. 49. P. 183–188.
  47. Kaplas T., Jakstas V., Biciunas A., et al. Effect of High-Temperature Annealing on Graphene with Nickel Contacts, Condens. Matter. 2019. V. 4. P. 21–27.
  48. Park C.S. Disorder induced transition of electrical properties of graphene by thermal annealing. Results in Physics. 2018. V. 9. P. 1534–1536.
  49. Tosic D., Markovic Z., Jovanovic C., et al. Rapid thermal annealing of nickel-carbon nanowires for graphene nanoribbons formation, Synthetic Metals. 2016. V. 218. P. 43–49.
  50. Kumar N., Salehiyan R., ChaukeV. et al. Top-down synthesis of graphene: A comprehensive review. Flat.Chem. 2021. V. 27. 100224.
  51. Zhang F., Yang K., Liu G., Chen Y. Recent advances on graphene: Synthesis, properties and applications. Composites Part A: Applied Science and Manufacturing. 2022. V.160. 107051.
  52. Urade A.R., Lahiri I., Suresh K.S. Graphene Properties, Synthesis and Applications: A Review. Journal of the Minerals, Metals a. Materials Society. 2023. V. 75(3). P. 614–630.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Спектры комбинационного рассеяния на структуре Al2O3/ВОПГ.

Скачать (110KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Схема получения графена методом отжига.

Скачать (137KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024