Том 53, № 5 (2024)

СВЧ плазма (частота генерации 2.45 ГГц, мощность 200–1000 Вт, давление 0.2–10 мТорр) возбуждалась и поддерживалась в двух основных режимах: (1) при непрерывной подаче СВЧ мощности и низких магнитных полях (В = 300–450 Гс) в условиях сверхплотной (N_e > N_cr = 7.4 ´ 10¹⁰ см^–3) плазмы и низкой плотности плазмы (N_e < N_cr); (2) при высоких магнитных полях (В = 750–1000 Гс), близких к ЭЦР-условию. Исследовались особенности генерации плазмы при условии ЭЦР и при условии резонанса на второй циклотронной гармонике.

В работе описывается схема квантового светоделителя, преобразующего состояние пространственного фотонного кубита на двух модах за счет обмена энергией между модами и квантовыми точками. Контролируя время взаимодействия, можно получить требуемую суперпозицию базисных однофотонных состояний кубита на выходе устройства. Кроме того, светоделитель позволяет генерировать запутанные двухфотонные NOON-состояния. Использование эффекта Ферстера для управления обменом энергией между КТ дает возможность увеличить межмодовое расстояние и подавить нежелательное прямое взаимодействие мод. В качестве примера был рассмотрен светоделитель на основе двумерного фотонного кристалла с температурной и структурной настройкой частот.

Дается краткий обзор современного состояния экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ, EUV в англоязычной транскрипции), или, что тоже, рентгеновской литографии на длине волны 13.5 нм в мире. Обсуждаются проблемы и перспективы развития этой технологии на ближайшие годы. Сообщается о новой концепции рентгеновской литографии в России, развиваемой в Институте физики микроструктур РАН. Приводится обоснование преимуществ и перспектив реализуемости литографии на новойдля литографии длине волны 11.2 нм. Дается краткий обзор отечественного уровня развития критических технологий, необходимых для создания рентгеновского литографа.

Исследовано влияние ширины квантового барьера в виде туннельно тонкого обедненного носителями заряда углеродного слоя в обогащенной некристаллической углеродной матрице на бездиссипативный транспорт и полевую эмиссию электронов. Показано, что нелинейности поперечных тока в гетероструктурах при статических низкополевых электрических воздействиях и параметров вольт-амперных характеристик полевой эмиссии электронов в сильных импульсных электрических полях микросекундной длительности определяются параметрами квантового барьера и реализацией условий резонансного туннелирования с участием различных нулевых уровней энергии размерного квантования.

Рассмотрена термоэлектрическая система охлаждения и терморегулирования электронных устройств. На основе математической модели, использующей в качестве исходных данных рабочие характеристики серийного термоэлектрического модуля, проведены расчеты энергетических характеристик термоэлектрической системы охлаждения с учетом ее термических сопротивлений. Результаты расчетов представлены в виде диаграмм, которые позволяют производить согласованный выбор термических сопротивлений системы, обеспечивающий заданные значения холодопроизводительности и температурного перепада.

В работе рассматривается применение математического аппарата пятен для нейроморфных устройств на кроссбарах элементов памяти, архитектура которых соответствует технике вычислений в памяти. Аппарат пятен позволяет представлять и обрабатывать семантическую информацию в форме ментальных образов, а также моделировать рассуждения в форме, свойственной человеку. В частности, это дедуктивные, индуктивные, абдуктивные, а также и немонотонные рассуждения, когда выводы делаются на основе имеющихся знаний, а получение новых знаний может изменить выводы. Аппарат пятен является математической основой создания нейроморфных устройств с техникой вычислений в памяти, способных не только представлять семантическую информацию в образной форме, но и моделировать образное мышление. Это позволит решить большую проблему для современных глубоких нейронных сетей, связанную с возможностью возникновения случайных, ничем не обусловленных ошибок.

Обсуждаются результаты исследования температурных зависимостей напряжения пробоя мощных КНИ nLDMOS транзисторов с длинной областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 микрон. Основное внимание сфокусировано на влиянии механизма генерации и пассивации ловушек на границе раздела Si/SiO₂ в сильных электрических полях. Экспериментально и теоретически проанализирована зависимость напряжения пробоя в диапазоне температуры окружающей среды от -60^о С до 300^о С и определен диапазон температур от 25° С до 220° С, где напряжение пробоя практически постоянно. Рассмотрена возможность восстановления уровня напряжения пробоя после длительного периода покоя, что является предпосылкой для продления срока эксплуатации устройства.

Обзор посвящен анализу роли высокотемпературного отжига в технологиях получения графеновых пленок и создания структур для наноэлектроники на их основе. Как известно, один из способов получения графена – высокотемпературный отжиг монокристаллов Si C. Этот метод позволяет получать высококачественные графеновые пленки, но существенными недостатками этого метода являются высокая температура отжига и малые размеры монокристаллических доменов получаемого графена. Все более широкое распространение получает способ получения графена путем отжига структур с твердыми углеродными слоями, нанесенными на пленку никеля на диэлектрической подложке, с последующим удалением никеля химическим травлением. Отжиг графеновых пленок, независимо от способа их получения, является средством очистки поверхности графена от адсорбированных загрязнений и улучшения его кристаллической структуры. Выявлено, что отжиг может приводить к разным результатам для изолированных графеновых пленок и для графеновых структур, предназначенных для применения в устройствах наноэлектроники.